Informace o projektu
Elektronové a strukturní vlastnosti trojrozměrných topologických izolantů
- Kód projektu
- GAP204/12/0595
- Období řešení
- 1/2012 - 12/2013
- Investor / Programový rámec / typ projektu
-
Grantová agentura ČR
- Standardní projekty
- Fakulta / Pracoviště MU
- Středoevropský technologický institut
- Spolupracující organizace
-
Univerzita Karlova v Praze
- Odpovědná osoba Mgr. Jindřich Kynický, Ph.D.
Trojrozměrné topologické izolanty mají pozoruhodné fyzikální vlastnosti povrchových elektronových stavů. Dosud však bylo publikováno pouze několik experimentů na epitaxních vrstvách. Cílem tohoto projektu je studium elektronových vlastností epitaxních vrstev topologických izolantů, jejich strukturních vlastností a závislosti elektronových vlastností na strukturní kvalitě. K určení strukturních vlastností bude použita zejména metod rozptylu rentgenového záření, elektronové stavy budou studovány pomocí úhlově rozlišené fotoelektronové a infračervené spektroskopie. Dosažené výsledky budou srovnány dále s měřeními transportních vlastností, elektronové mikroskopie a mikroskopie skenovací sondou.
Publikace
Počet publikací: 4
2015
-
Structural and electronic properties of manganese-doped Bi2Te3 epitaxial layers
New Journal of Physics, rok: 2015, ročník: 17, vydání: January, DOI
2014
-
Raman and interband optical spectra of epitaxial layers of the topological insulators Bi2Te3 and Bi2Se3 on BaF2 substrates
Physica Scripta, rok: 2014, ročník: T162, vydání: September, DOI
2013
-
Growth, Structure, and Electronic Properties of Epitaxial Bismuth Telluride Topological Insulator Films on BaF2 (111) Substrates
Crystal Growth & Design, rok: 2013, ročník: 13, vydání: 8, DOI
-
Humidity resistant hydrogenated carbon nitride films
Applied Surface Science, rok: 2013, ročník: 275, vydání: Jun, DOI