Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane for nanostructured SiO2-like films deposited by PECVD at atmospheric pressure

• Autoři: SCHÄFER Jan; HNILICA Jaroslav; ŠPERKA Jiří; QUADE Antje; KUDRLE Vít; FOEST Rüdiger; VODÁK Jiří; ZAJÍČKOVÁ Lenka
• Rok publikování: 2016
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Surface and Coatings Technology
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.09.047
• Obor: Fyzika plazmatu a výboje v plynech
• Klíčová slova: Tetrakis(trimethylsilyloxy)silane; Tetrakis(trimethylsiloxy)silane; Plasma jet; Silicon dioxide

Přiložené soubory

• 1-s2.0-S0257897215302851-main.pdf

• Popis: We performed the thin films deposition using atmospheric pressure plasma enhanced chemical vapour deposition (AP-PECVD) by means of a radiofrequency and a microwave plasma jets operating with mixtures of argon and tetrakis(trimethylsilyloxy)silane (TTMS).

Související projekty

• CEPLANT - Regionální VaV centrum pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy
• CEITEC - středoevropský technologický institut
• Research center of surface treatment
• Rozvoj centra pro nízkonákladové plazmové a nanotechnologické povrchové úpravy