X-ray diffraction on stacking faults in 3C-SiC epitaxial microcrystals grown on patterned Si(0 0 1) wafers

• Název česky: Rtg difrakce na vrstevných chybách v 3C-SiC epitaxních mikrokrystalech rostlých na vzorkovaných Si(001) deskách
• Autoři: MEDUŇA Mojmír; KREILIGER Thomas; MAUCERI Marco; PUGLISI Marco; MANCARELLA Fulvio; LA VIA Francesco; CRIPPA Danilo; MIGLIO Leo; VON KÄNEL Hans
• Rok publikování: 2019
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of Crystal Growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• www: Full Text
• Doi: http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2018.10.046
• Klíčová slova: Semiconducting silicon compounds; Carbides; High resolution X-ray diffraction; Planar defects; Low dimensional structures
• Popis: Představujeme zkoumání strukturální kvality polí 3C-SiC mikropilířů a mikrodrátů pěstovaných epitaxně na hluboce leptaných substrátech Si (0 0 1) odříznutých vzhledem k [1 1 0].

Související projekty

• CEITEC Nano
• CEITEC 2020