Informace o publikaci

Thermal stability of amorphous Nb/Si multilayers studied by x-ray reflection

Logo poskytovatele
Autoři

BOCHNÍČEK Zdeněk VÁVRA Ivo HOLÝ Václav

Rok publikování 1999
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Bulletin Krystalografické společnosti Materials Structure
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova thermal stability; mutlilayers; x-ray reflection
Popis The thermal stability was studied in temperature range from 150C up to 350C. It has been found, that interdifusion causes the interface shift without lost of interface sharpness. The diffusion model has been suggested that is based on enhanced diffusion of Si into Nb component of the multilayer.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info