Optical characterization of DLC:Si films prepared by PECVD

• Autoři: FRANTA Daniel; BURŠÍKOVÁ Vilma; ZAJÍČKOVÁ Lenka
• Rok publikování: 2001
• Druh: Článek ve sborníku
• Konference: Proceedings of 13th Symposium on Application of Plasma Processes
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• www: http://hydra.physics.muni.cz/~franta/bib/SAPP13_87.html
• Obor: Fyzika plazmatu a výboje v plynech
• Popis: Multi-sample modification of variable angle of incidence spectroscopic ellipsometry (VASE) was used to characterize silicon doped diamond like carbon (DLC:Si) films prepared by plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD). These films were prepared on wafers of silicon single crystal in the planar capacitively coupled RF reactor. The gas feed for deposition was a mixture of methane (CH4), hexamethyldisiloxane (HMDSO) and argon (Ar).

Související projekty

• Plazmochemické depozice a plazmochemické opracování povrchu pevných substrátů
• Plazmová depozice ochranných vrstev: charakterizace připravených vrstev a diagnostika užitého reaktivního plazmatu
• Charakterizace vrstevnatých systémů s náhodně drsnými rozhraními pomocí optických a rtg metod
• Studium plazmochemických reakcí v neizotermickém nízkoteplotním plazmatu a jeho interakcí s povrchem pevných látek