Annealing studies of high Ge composition Si/SiGe multilayers

• Název česky: Studium žíhání multivrstev SiGe/Si s vysokým obsahem Ge
• Autoři: MEDUŇA Mojmír; NOVÁK Jiří; HOLÝ Václav; BAUER Günther; FALUB Claudiu; TSUJINO Soichiro; MÜLLER Elisabeth; GRÜTZMACHER Detlev; CAMPIDELLI Yves; KERMARREC Olivier; BENSAHEL Daniel
• Rok publikování: 2004
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Zeitschrift fur Kristalographie
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: Reflectivity; X-ray diffraction; Annealing; Diffusion; Si/SiGe multiple quantum wells
• Popis: Byla studována teplotní stbilita multivrstev SiGe/Si (80% Ge) metodou rtg reflexe během žíhání in-situ při teplotě 810C.

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur