Structural studies of strain-symmetrised Si/SiGe structures grown by molecular beam epitaxy

• Název česky: Strukturní studie napěťově symetrizovaných Si/SiGe struktur pěstovaných molekulární svazkovou epitaxí
• Autoři: FALUB Claudiu; MEDUŇA Mojmír; MÜLLER Elisabeth; TSUJINO Soichiro; BORAK Alex; SIGG Hans; GRÜTZMACHER Detlev; FROMHERZ Thomas; BAUER Günther
• Rok publikování: 2005
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of crystal growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: High-resolution X-ray diffraction; Multiple quantumwell structures; Molecular beamepitaxy; Si/SiGe
• Popis: V publikaci jsou prezentovány výsledky nízkoteplotního růstu (300 C) pomocí molekulární svazkové epitaxe struktur Si/SiGe s mnohonásobnými modulačně dopovanými kvantovými jámami s vysokým obsahem Ge na Si0.5Ge0.5 pseudosubstrátech. Experimenty rtg reflexe a difrakce s vysokým rozlišením byly provedeny na synchrotrony SLS. Také analýza pomocí transmisní elektronové mikroskopie ukazuje dobrou regulaci růstových parametrů a drsnosti rozhraní < 0.4 nm.

Související projekty

• Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu