Informace o publikaci
Frequency- and temperature-dependent conductivity at the metal-insulator transition in phosphorus doped silicon studied by far-infrared ellipsometry
| Název česky | Frekvenčně a teplotně závislá vodivost na přechodu kov-izolátor v bórem legovaném křemíku studovaná elipsometrií v daleké infračervené oblasti |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2007 |
| Druh | Článek ve sborníku |
| Konference | CP893, Physics of Semiconductors, 28th International Conference |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | metal-insulator transition; doped silicon; ellipsometry |
| Popis | Referujeme o elipsometrických měřeních v daleké infračervené oblasti na Si:P s koncentrací fosforu na přechodu kov-izolátor, v teplotním oboru od 15 do 300 K. Teplotní koeficienty komplexní vodivosti byly změřeny s vysokým rozlišením; ukazují netriviální vývoj optické odezvy. |
| Související projekty: |