X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

• Název česky: Rtg difrakce na precipitátech v Czochralského křemíku
• Autoři: CAHA Ondřej; MEDUŇA Mojmír
• Rok publikování: 2009
• Druh: Konferenční abstrakty
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Popis: Jsou uvedeny výsledky studie precipitace kyslíku v CZ Si. Rtg difrakce s vysokým rozlišením byla použita pro měření map reciprokého prostoru na vzorcích s různým žíhacím procesem. Měření byla provedena pro několik řádů difrakce a byly zjištěny systematické rozdíly. Byl simulován difuzní rtg rozptyl, kde bylo počítáno pole posunutí od precipitátu za použití teorie elasticity kontinua. Simulace dávají správné asymptotické chování a byla nalezena interpretace oblasti mezi Huangovým rozptylem a rozptylem na jádře. Výsledky rtg difrakce jsou korelovány s měřením infračervené absorpční spektroskopie poskytující koncentraci intersticiálního kyslíku.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
• Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích