Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

• Název česky: Studium oxidových precipitátů v křemíku pomocí rtg difrakce
• Autoři: CAHA Ondřej; BERNATOVÁ Silvie; MEDUŇA Mojmír; SVOBODA Milan; BURŠÍK Jiří
• Rok publikování: 2011
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: physica status solidi (a), Applied research
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Doi: http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: CZOCHRALSKI-GROWN SILICON; DIFFUSE-SCATTERING; DEFECTS
• Popis: Publikovány jsou výsledky studia oxidových precipitátů s použitím dvou metod rtg difrakce. Byl měřen difúzní rozptyl kolem Braggových difrakčních maxim série vzorků připravených různým dvoustupňovým žíháním. Bylo určeno deformační pole kolem precipitátů. Dále byla použita dynamická difrakce v Laueho uspořádání pro měření koncentrace defektů. Výsledky byly porovnány s měřením leptových důlků.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Nukleace a růst kyslíkových precipiátů v křemíku
• Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích
• Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů
• CEITEC - středoevropský technologický institut