prof. RNDr. Václav Holý, CSc.
profesor – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02028
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
| telefon: | 549 49 4360 |
|---|
| sociální a akademické sítě: |
|---|
Počet publikací: 213
1995
-
Crystalline and Quasi-cristalline Patterns in X-Ray Diffraction from Periodic Arrays of Quantum Dots
Europhysics Letters, rok: 1995, ročník: 32(1995), vydání: 2
-
Determination of threading dislocation density in hetero-epitaxial layers by diffuse x-ray scattering
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -
-
Diffuse x-ray scattering from misfit dislocations in SiGe epitaxial layers with graded Ge content
J. Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 78(1995), vydání: 8
-
Elastic strains in GaAs/AlAs quantum dots studied by high-resolution x-ray diffraction
Physical Review B, rok: 1995, ročník: 52(1995), vydání: 11
-
Grazing-incidence diffraction from multilayers
Physical Review B, rok: 1995, ročník: 51(1995), vydání: 23
-
High Resolution x-ray diffractometry of ZnTe layers at elevated temperatures.
Journal of Applied Physics, rok: 1995, ročník: 78, vydání: 2
-
Interface roughness in surface-sensitive x-ray methods
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -
-
Interface study of W-Si/Si and obliquely deposided W/Si multilayers by grazing-incidence high-resolution x-ray diffraction
J. Phys. D: Appl. Phys., rok: 1995, ročník: 28, vydání: -
-
Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping
Semicond. Sci. Technol., rok: 1995, ročník: 10, vydání: -
-
Konzultační cvičení II
Rok: 1995, počet stran: 86 s.