doc. Mgr. Vlastimil Křápek, Ph.D.

2016

• Type-I and Type-II Confinement in Quantum Dots: Excitonic Fine Structure

  KŘÁPEK Vlastimil KLENOVSKÝ Petr ŠIKOLA Tomáš

  Recenzovaný odborný článek

  ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI

• Type-II InAs/GaAsSb/GaAs Quantum Dots as Artificial Quantum Dot Molecules

  KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil HUMLÍČEK Josef

  Recenzovaný odborný článek

  ACTA PHYSICA POLONICA A, rok: 2016, ročník: 129, vydání: 1A, DOI

2015

• Excitonic fine structure splitting in type-II quantum dots

  KŘÁPEK Vlastimil KLENOVSKÝ Petr ŠIKOLA Tomáš

  Recenzovaný odborný článek

  Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 19, DOI

• Polarization anisotropy of the emission from type-II quantum dots

  KLENOVSKÝ Petr HEMZAL Dušan STEINDL Petr ZÍKOVA Markéta KŘÁPEK Vlastimil HUMLÍČEK Josef

  Recenzovaný odborný článek

  Physical Review B, rok: 2015, ročník: 92, vydání: 24, DOI

2013

• Tuning of the valence band mixing of excitons confined in GaAs/AlGaAs quantum dots via piezoelectric-induced anisotropic strain

  PLUMHOF JD. TROTTA R. KŘÁPEK Vlastimil ZALLO E. ATKINSON P. KUMAR S. RASTELLI A. SCHMIDT OG.

  Recenzovaný odborný článek

  Physical Review B, rok: 2013, ročník: 87, vydání: 7, DOI

2012

• Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition

  KLENOVSKÝ Petr BREHM Moritz KŘÁPEK Vlastimil LAUSECKER Elisabeth MUNZAR Dominik HACKL Florian STEINER Hubert FROMHERZ Thomas BAUER Günther HUMLÍČEK Josef

  Recenzovaný odborný článek

  Physical Review B, rok: 2012, ročník: 86, vydání: 11, DOI

2011

• Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

  PLUMHOF Johannes David KŘÁPEK Vlastimil DING Fei JOENS K. D. HAFENBRAK R. KLENOVSKÝ Petr HERKLOTZ A. DORR K. MICHLER P. RASTELLI Armando SCHMIDT Oliver G.

  Recenzovaný odborný článek

  Physical Review B, rok: 2011, ročník: 83, vydání: 12, DOI

2010

• Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

  KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil MUNZAR Dominik HUMLÍČEK Josef

  Recenzovaný odborný článek

  Applied Physics Letters, rok: 2010, ročník: 97, vydání: 203107

• Experimental investigation and modeling of the fine structure splitting of neutral excitons in strain-free GaAs/AlxGa1-xAs quantum dots

  PLUMHOF Johannes KŘÁPEK Vlastimil WANG LiJuan SCHLIWA Andrei BIMBERG Dieter RASTELLI Armando SCHMIDT Oliver

  Recenzovaný odborný článek

  Physical Review B, rok: 2010, ročník: 81, vydání: 12

• Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer

  KLENOVSKÝ Petr KŘÁPEK Vlastimil MUNZAR Dominik HUMLÍČEK Josef

  Recenzovaný odborný článek

  Journal of Physics: Conference Series, rok: 2010, ročník: 244, vydání: 012086