Mgr. Ondřej Caha, Ph.D.
odborný asistent – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02008
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
telefon: | 549 49 3388 |
---|---|
e‑mail: |
sociální a akademické sítě: |
---|
Počet publikací: 101
2011
-
Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As
Applied Physics Letters, rok: 2011, ročník: 98, vydání: 15, DOI
2010
-
Defect Engineering in Czochralski-grown Silicon Studied by TEM
Rok: 2010, druh: Konferenční abstrakty
-
Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction
Applied Physics Letters, rok: 2010, ročník: 97, vydání: 18, DOI
-
Effect of strain on the growth of InAs/GaSb superlattices: An x-ray diffraction study
Journal of Applied Physics, rok: 2010, ročník: 107, vydání: 12
-
InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots
Journal of crystal growth, rok: 2010, ročník: 312, vydání: 8
-
Oxygen Precipitation in CZ Si Wafers after High Temperature Pre-annealing
Rok: 2010, druh: Konferenční abstrakty
-
Plasma polymer films of tetravinylsilane modified by UV irradiation
Surface and Coatings Technology, rok: 2010, ročník: 205, vydání: 1
-
X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si
Rok: 2010, druh: Konferenční abstrakty
2009
-
Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing
J.Phys.: Condens. Matter, rok: 2009, ročník: 21, vydání: 10
-
Homogenization of CZ Si wafers by Tabula Rasa annealing
Physica B condensed matter, rok: 2009, ročník: 404, vydání: 23-24