Informace o publikaci
Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods
| Název česky | Precipitace v křemíkových deskách po vysokoteplotním předžíhání studovaná pomocí metod rtg difrakce |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2012 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Physica B condensed matter |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | |
| Doi | http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063 |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | silicon; interstitial oxygen; precipitation |
| Popis | Studovali jsme precipitaci kyslíku v Czochralski křemíkových deskách a při tom jsme se zaměřili na vliv nukleační teploty a vysokoteplotního předžíhání během standartního třístupňového procesu. |
| Související projekty: |
|