Informace o publikaci

Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

Název česky Precipitace v křemíkových deskách po vysokoteplotním předžíhání studovaná pomocí metod rtg difrakce
Autoři

MEDUŇA Mojmír RŮŽIČKA Jiří CAHA Ondřej BURŠÍK Jiří SVOBODA Milan

Rok publikování 2012
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Physica B condensed matter
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www pdf
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.physb.2011.08.063
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova silicon; interstitial oxygen; precipitation
Popis Studovali jsme precipitaci kyslíku v Czochralski křemíkových deskách a při tom jsme se zaměřili na vliv nukleační teploty a vysokoteplotního předžíhání během standartního třístupňového procesu.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info