Metrology of epitaxial layers *GaN

• Název česky: Metrologie GaN
• Autoři: CAHA Ondřej; WANG Chennan; MÜNZ Filip; HUMLÍČEK Josef
• Rok publikování: 2014
• Druh: Výzkumná zpráva
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• Popis: Použití charakterizačních metof pro vývoj epitaxní technologie Al/GaN. Posouzení proveditelnosti vytváření struktur HEMT pomocí epitaxního růstu MOVPE, strukturní charakteristiky a charakterizační metody. · Chrakterizace optických vlastností vrstevnatých struktur Al/GaN a návrh metrologie tloušťek. · Korelační měření systémem FTIR. · Vývoj rentgenových metod pro charakterizaci defektů v epitaxních vrstvách Al/GaN. · Vývoj rentgenových metod pro rychlou analýzu složení epitaxních vrstev Al/GaN.