Informace o publikaci

Strain relaxation in Ge microcrystals studied by high-resolution X-ray diffraction

Název česky Relaxace pnutí v Ge mikrokrystalech studovaných pomocí rtg difrakce s vysokým rozlišením
Autoři

ROZBOŘIL Jakub MEDUŇA Mojmír FALUB Claudiu Valentin ISA Fabio VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2016
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj PHYSICA STATUS SOLIDI A-APPLICATIONS AND MATERIALS SCIENCE
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pssa.201532643/abstract
Doi http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201532643
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova crystal defects; Ge microcrystals; patterned Si substrate; X-ray diffraction
Popis Deposition on patterned substrates is a promising method for obtaining high quality, strain and defect free heteroepitaxial layers. In this paper we investigate the crystalline structure of quasi-continuous Ge layers consisting of closely spaced microcrystals on a Si substrate patterned in the form of a regular net of lithographically defined squared based pillars. Lattice parameters, strain and degree of relaxation of the Ge microcrystals are measured by standard high-resolution X-ray diffraction using reciprocal space mapping. In particular, we focus on the impact of Si pillar size and spacing on the Ge crystal quality by analyzing how the bending of crystal lattice planes caused by thermal stress relaxation and random crystal tilts affect the width of the diffraction peaks.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info