Giant Rashba Splitting in Pb1-xSnxTe (111) Topological Crystalline Insulator Films Controlled by Bi Doping in the Bulk

• Autoři: VOLOBUEV V.; MANDAL P.; GALICKA M.; CAHA Ondřej; SANCHEZ-BARRIGA J.; DISANTE D.; VARYKHALOV A.; KHIAR A.; PICOZZI S.; BAUER Günther; KACMAN P.; BUCZKO R.; RADER O.; SPRINGHOLZ Günter
• Rok publikování: 2017
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: ADVANCED MATERIALS
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Doi: http://dx.doi.org/10.1002/adma.201604185
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: MOLECULAR-BEAM EPITAXY; SNTE; GROWTH; PBTE; STATES; REALIZATION; INTERFACE; SURFACES; STRAIN; PHASE
• Popis: Bylo prokázáno velké Rashbovo rozštění v PbSnTe topologických izolátorech.