Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

• Autoři: HESSE Anke; STANGL Julian; HOLÝ Václav
• Rok publikování: 2002
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Physical Review B
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: Effect of overgrowth on shape; composition; and strain of SiGe islands on Si(001)
• Popis: Effect of overgrowth on shape, composition, and strain of SiGe islands on Si(001)

Související projekty

• Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek
• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur