Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

• Název česky: Hustota Mn intersticiálů v GaMnAs určená anomální rtg difrakcí
• Autoři: HOLÝ Václav; MARTÍ Xavier; HORÁK Lukáš; CAHA Ondřej; NOVÁK Vít; CUKR Miroslav; SCHÜLLI Tobias Urs
• Rok publikování: 2010
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Applied Physics Letters
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• www: https://doi.org/10.1063/1.3514240
• Doi: http://dx.doi.org/10.1063/1.3514240
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: ferromagnetic semiconductos; anomal x-ray diffraction
• Popis: Hustota intersticiálů Mn v GaMnAs byla určena anomální rtg difrakcí, t.j. měřením závislosti intenzity slabé difrakce 002 na energii fotonu kolem K absorpční hrany Mn.

Související projekty

• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur
• Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích