Informace o publikaci

Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

Název česky Studium oxidových precipitátů v křemíku pomocí rtg difrakce
Autoři

CAHA Ondřej BERNATOVÁ Silvie MEDUŇA Mojmír SVOBODA Milan BURŠÍK Jiří

Rok publikování 2011
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj physica status solidi (a), Applied research
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1002/pssa.201184263
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova CZOCHRALSKI-GROWN SILICON; DIFFUSE-SCATTERING; DEFECTS
Popis Publikovány jsou výsledky studia oxidových precipitátů s použitím dvou metod rtg difrakce. Byl měřen difúzní rozptyl kolem Braggových difrakčních maxim série vzorků připravených různým dvoustupňovým žíháním. Bylo určeno deformační pole kolem precipitátů. Dále byla použita dynamická difrakce v Laueho uspořádání pro měření koncentrace defektů. Výsledky byly porovnány s měřením leptových důlků.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info