Informace o publikaci

Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition

Autoři

KLENOVSKÝ Petr BREHM Moritz KŘÁPEK Vlastimil LAUSECKER Elisabeth MUNZAR Dominik HACKL Florian STEINER Hubert FROMHERZ Thomas BAUER Günther HUMLÍČEK Josef

Rok publikování 2012
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Physical Review B
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://link.aps.org/doi/10.1103/PhysRevB.86.115305
Doi http://dx.doi.org/10.1103/PhysRevB.86.115305
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova quantum dots; SiGe; photoluminescence; excitonic structure; biexciton
Popis Byla studována závislost fotoluminiscenčních (PL) spekter dokonale laterálně uspořádaných SiGe kvantových teček rostených na Si(001) substrátech na intenzitě optického čerpání (I). PL spektra vznikají rekombinací děr nacházejících se v SiGe kvantových tečkách a elektronů lokalizovaných v Si matrici obklopující kvantové tečky. Analýzou spekter jsme byli schopni identifikovat několik odlišných pásů, odpovídajících rekombinacím základního stavu a excitovaných stavů s účastí fononu i bez něj. Všechny tyto přechody vykazují lineární závislost PL intenzity na I. Pro I větší než přibližně 3 W cm-2 jsme objevili další pásy odpovídající rekombinacím biexcitonových přechodů, které vykazují téměř kvadratickou závislost na I. Tyto nově vznikající příspěvky do PL spekter posouvají celkové PL spektrum bezfononových přechodů k vyšším energiím. Experimentálně zjištěné energie přechodů bez účasti fononu jsou ve velmi dobré shodě s hodnotami energií excitonů a biexcitonů, vypočtenými pomocí metody obálkových funkcí a konfigurační interakce.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info