Project information

Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace

Investor logo
Project Identification
TH02010014
Project Period
1/2017 - 6/2020
Investor / Pogramme / Project type
Technology Agency of the Czech Republic
MU Faculty or unit
Central European Institute of Technology
Cooperating Organization
Institute of Physics of the ASCR, v. v. i.
ON SEMICONDUCTOR CZECH

Cílem projektu je průmyslový výzkum a experimentální vývoj heteroepitaxního růstu nitridových struktur pro polovodičové aplikace:
1) VaV technologie MOCVD pro růst funkčních nitridových struktur na substrátech průměru až 200 mm.
2) VaV a charakterizace funkčních nitridových struktur pro polovodičové aplikace (např. ověřené funkční struktury pro HEMT).
3) VaV vhodných metod pro měření parametrů nitridových struktur vyráběných pro polovodičové aplikace.
Podpora rozvoje účinné spolupráce průmyslového podniku a výzkumných institucí zásadně přispěje k dosažení a aplikaci výsledků – ověřené technologie a funkčních vzorků včetně metod pro jejich charakterizaci – v polovodičové výrobě v ČR.