Informace o projektu

Nové polovodičové struktury pro pokročilé elektronické aplikace

Logo poskytovatele
Kód projektu
TH02010014
Období řešení
1/2017 - 9/2020
Investor / Programový rámec / typ projektu
Technologická agentura ČR
Fakulta / Pracoviště MU
Středoevropský technologický institut
Spolupracující organizace
Fyzikální ústav AV ČR, v. v. i.
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

Cílem projektu je průmyslový výzkum a experimentální vývoj heteroepitaxního růstu nitridových struktur pro polovodičové aplikace:
1) VaV technologie MOCVD pro růst funkčních nitridových struktur na substrátech průměru až 200 mm.
2) VaV a charakterizace funkčních nitridových struktur pro polovodičové aplikace (např. ověřené funkční struktury pro HEMT).
3) VaV vhodných metod pro měření parametrů nitridových struktur vyráběných pro polovodičové aplikace.
Podpora rozvoje účinné spolupráce průmyslového podniku a výzkumných institucí zásadně přispěje k dosažení a aplikaci výsledků – ověřené technologie a funkčních vzorků včetně metod pro jejich charakterizaci – v polovodičové výrobě v ČR.

Publikace

Počet publikací: 1


Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info