Projekt je zaměřen na výzkum a vývoj objemových polovodičových materiálů s velkou šířkou zakázaného pásu a je přímo motivován konkrétním zájmem globální korporace ON Semiconductor (NASDAQ: ON) o světově konkurenceschopnou výrobu polovodičových substrátů na bázi gallium (aluminium) nitridu - Al(Ga)N a karbidu křemíku (SiC).

Publications