Informace o publikaci

Growth temperature dependent strain in relaxed Ge microcrystals

Název česky Pnutí v relaxovaných Ge microcrystalech závislé na teplotě růstu
Autoři

MEDUŇA Mojmír FALUB Claudiu Valentin ISA Fabio VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2018
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2018.08.033
Klíčová slova Patterned substrates; Silicon substrates; Germanium; Nanocrystals; X-ray diffraction; Crystal Defects; Low energy plasma enhanced chemical vapor deposition
Popis Použitím rtg difrakce s vysokým rozlišením při mapování reciprokého prostoru získáváma mřížkové parametry, pnutí a stupeň relaxace pro různé teploty růstu mikrokrystalů.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info