Excition-polariton edge of GaAs: MBE layers between multiple-quantum-well structures

Autoři HUMLÍČEK Josef BOČÁNEK Luděk NAVRÁTIL Karel — PÁNEK Petr — ŠVEHLA Radoslav
Druh Článek v odborném periodiku
Citace HUMLÍČEK, Josef, Luděk BOČÁNEK, Karel NAVRÁTIL, Petr PÁNEK a Radoslav ŠVEHLA. Excition-polariton edge of GaAs: MBE layers between multiple-quantum-well structures. Solid State Communications, UK: Elsevier Science, 1995, roč. 93(1995), č. 9, s. 725-728. ISSN 0038-1098.
Originální jazyk angličtina
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info