Mgr. Petr Klenovský, Ph.D.
výzkumník III – Ústav fyziky kondenzovaných látek
kancelář: pav. 09/02020
Kotlářská 267/2
611 37 Brno
| telefon: | 549 49 3193 |
|---|
| sociální a akademické sítě: |
|---|
Počet publikací: 38
2026
-
Buried Stressor Engineering for Position-Controlled InGaAs Quantum Dots with Local Density Variation for Integrated Quantum Photonics
ACS Photonics, rok: 2026, ročník: 13, vydání: 2, DOI
-
Coulomb correlated multiparticle states of weakly confining GaAs quantum dots
PHYSICAL REVIEW B, rok: 2026, ročník: 113, vydání: 12, DOI
2025
-
Buried-stressor technology for the epitaxial growth and device integration of site-controlled quantum dots
Materials for Quantum Technology, rok: 2025, ročník: 5, vydání: 2, DOI
-
Combined tight-binding and configuration interaction study of unfolded electronic structure of the G color center in Si
Physical Review B, rok: 2025, ročník: 112, vydání: 16, DOI
2024
-
Epitaxial growth and characterization of multi-layer site-controlled InGaAs quantum dots based on the buried stressor method
Applied Physics Letters, rok: 2024, ročník: 124, vydání: 6, DOI
-
Self-Aligned Photonic Defect Microcavity Lasers with Site-Controlled Quantum Dots
Laser and Photonics Reviews, rok: 2024, ročník: 18, vydání: 7, DOI
-
Site-Controlled Growth of InGaAs Quantum Dots Based on Buried Stressors for the Development of Microlasers and Quantum Light Sources
33rd Joint Seminar Development of Materials Science in Research and Education, DMSRE 2024, rok: 2024, DOI
2023
-
Anomalous luminescence temperature dependence of (In, Ga)(As, Sb)/GaAs/GaP quantum dots overgrown by a thin GaSb capping layer for nanomemory applications
New Journal of Physics, rok: 2023, ročník: 25, vydání: 11, DOI
-
GaAs quantum dots under quasiuniaxial stress: Experiment and theory
Physical Review B, rok: 2023, ročník: 107, vydání: 23, DOI
2022
-
Dimension-Dependent Phenomenological Model of Excitonic Electric Dipole in InGaAs Quantum Dots
Nanomaterials, rok: 2022, ročník: 12, vydání: 4, DOI