Reciprocal space mapping on Si 1-x C x epilayers and Si n/C/Si n superlattices

• Autoři: STANGL J.; HOLÝ Václav
• Rok publikování: 1997
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of crystal growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur