Informace o projektu

Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách

Kód projektu
GA202/09/0676
Období řešení
1/2009 - 12/2011
Investor/Program
Grantová agentura ČR
Programový rámec / typ projektu
Standardní projekty
Fakulta/Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta
Spolupracujici organizace
Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i.
Odpovědná osoba Jiří Oswald

Publikace

2011

ELECTRONIC STRUCTURE OF INAS/GAAS/GAASSB QUANTUM DOTS

HUMLÍČEK JosefKLENOVSKÝ PetrMUNZAR Dominik

InAs/GaAs quantum dot capping in kinetically limited MOVPE growth regime

HOSPODKOVÁ Alice — PANGRÁC J. — VYSKOČIL J. — OSWALD J. — VETUSHKA A. — CAHA Ondřej — HAZDRA P. — KULDOVÁ K. — HULICIUS E.

Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

PLUMHOF Johannes David — KŘÁPEK Vlastimil — DING Fei — JOENS K. D. — HAFENBRAK R. — KLENOVSKÝ Petr — HERKLOTZ A. — DORR K. — MICHLER P. — RASTELLI Armando — SCHMIDT Oliver G.

2010

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

KLENOVSKÝ Petr — KŘÁPEK Vlastimil — MUNZAR DominikHUMLÍČEK Josef

InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

HOSPODKOVÁ A. — HULICIUS E. — PANGRÁC J. — OSWALD J. — VYSKOČIL J. — KULDOVÁ K. — ŠIMEČEK T. — HAZDRA P. — CAHA Ondřej

Modelling of electronic states in InAs/GaAs quantum dots with GaAsSb strain reducing overlayer

KLENOVSKÝ Petr — KŘÁPEK Vlastimil — MUNZAR DominikHUMLÍČEK Josef

Quantum entanglement in lateral GaAs/AlGaAs quantum dot molecules

KŘÁPEK Vlastimil — KLENOVSKÝ Petr — RASTELLI Armando — SCHMIDT Oliver G — MUNZAR Dominik

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info