InGaAs and GaAsSb strain reducing layers covering InAs/GaAs quantum dots

• Název česky: InGaAs a GaAsSb vrstvy rekující napětí kryjící InAs/GaAs kvantové tečky
• Autoři: HOSPODKOVÁ A.; HULICIUS E.; PANGRÁC J.; OSWALD J.; VYSKOČIL J.; KULDOVÁ K.; ŠIMEČEK T.; HAZDRA P.; CAHA Ondřej
• Rok publikování: 2010
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Journal of crystal growth
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: Low dimensional structures; Photoluminescence; Low-pressure Metalorganic vapor phase epitaxy; InAs/GaAs Quantum dots; Semiconducting III-V materials
• Popis: Porovnali jsme vlastnosti InAs/GaAs kvantových teček pokrytých InGaAs nebo GaAsSb vrstvou uvolňující napětí.

Související projekty

• Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách