Informace o publikaci

3D Heteroepitaxy of Mismatched Semiconductors on Silicon

Název česky 3D heteroepitaxe nepřízpůsobených polovodičů na křemíku
Autoři

FALUB Claudiu Valentin KREILIGER Thomas ISA Fabio TABOADA Alfonso MEDUŇA Mojmír PEZZOLI Fabio BERGAMASCHINI Roberto MARZEGALLI Anna MÜLLER Elisabeth CHRASTINA Daniel ISELLA Giovanni NEELS Antonia NIEDERMANN Philippe DOMMANN Alex MIGLIO Leo VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2014
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Thin Solid Films
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0040609013017057
Doi http://dx.doi.org/10.1016/j.tsf.2013.10.094
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Monolithic integration; Epitaxial growth; Ge; GaAs; Patterned Si substrates; Scanning X-ray nano-diffraction; Room-temperature photoluminescence; X-ray detectors
Popis Prezentujeme metodu pro monolitickou integraci nepřizpůsoobených polovodičových materiálů s Si, s šD epitaxí.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info