Informace o publikaci

Stacking Fault Analysis of Epitaxial 3C-SiC on Si(001) Ridges

Název česky Analýza vrstevných chyb epitaxního 3C-SiC na Si(001) hřebenech
Autoři

MEDUŇA Mojmír KREILIGER Thomas PRIETO Ivan MAUCERI Marco PUGLISI Marco MANCARELLA Fulvio LA VIA Francesco CRIPPA Danilo MIGLIO Leo VON KÄNEL Hans

Rok publikování 2016
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Materials Science Forum
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
Doi http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/MSF.858.147
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova High-resolution X-ray diffraction; high-resolution scanning electron microscopy; electron backscatter diffraction; stacking faults; patterned Si substrates; heteroepitaxy; 3C-SiC
Popis Vrstevné chyby (SFs) ve 3C-SiC vyrobeném epitaxně na hřebenech hluboce vyleptaných do Si(001) substrátu s ofcutem ve směru [110] byly kvantitativně analyzovány pomocí elektronové mikroskopie a rtg difrakce.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info