Investigation of strain relaxation of Ge 1-x Si x epilayers on Ge (001) by high-resolution x-ray reciprocal space mapping

• Autoři: LI J.H.; HOLÝ Václav
• Rok publikování: 1995
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Semicond. Sci. Technol.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur