Far-infrared Ellipsometry of Depleted Surface Layer in Heavily Doped N-type GaAs

• Autoři: HUMLÍČEK Josef; HENN R.; CARDONA M.
• Rok publikování: 1996
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Appl. Phys. Lett.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur