Strain and composition distribution in uncapped SiGe islands from x-ray diffraction

• Autoři: STANGL J.; DANIEL A.; HOLY V.
• Rok publikování: 2001
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Applied Physics Letters
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Popis: Strain and composition distribution in uncapped SiGe islands from x-ray diffraction

Související projekty

• Procesy samouspořádání rozhraní při epitaxním růstu polovodičových supermřížek