Informace o publikaci
Infrared Absorption Spectroscopy of Oxygen Precipitates in Nitrogen-doped Czochralski Silicon
| Název česky | Infračervená absorpční spektroskopie kyslíkových precipitátů v dusíkem legovaném Czochralského křemíku |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2004 |
| Druh | Článek ve sborníku |
| Konference | Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004 |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | Infrared; Silicon; Oxygen; Precipitates; Nitrogen doping |
| Popis | Analyzovali jsme infračervená spektra propustnosti Czochralského křemíku. Díky měrení na teplotě kapalného dusíku jsme identifikovali příspěvek kyslíkových precipitátů různých tvarů. Pro určení tvaru, objemového podílu a stechiometrie precipitátů byl použit model efektivního prostředí. Byly měřeny standartní a dusíkem legované vzorky; pozorovali jsme příznivý vliv dusíku na precipitaci kyslíku. |
| Související projekty: |