Informace o projektu

Nové polovodičové materiály a součástky s velkou šířkou zakázaného pásu

Logo poskytovatele
Kód projektu
TH01011284
Období řešení
1/2015 - 12/2017
Investor / Programový rámec / typ projektu
Technologická agentura ČR
Fakulta / Pracoviště MU
Středoevropský technologický institut
Spolupracující organizace
Vysoké učení technické v Brně
ON SEMICONDUCTOR CZECH REPUBLIC, s.r.o.

VaV polovodičových materiálů a součástek s velkou šířkou zakázaného pásu energií (WBG) ve spolupráci průmyslového VaV a vědeckých pracovišť Středoevropského technologického institutu:
1) VaV nových WBG materiálů - především struktury GaN/AlGaN/AlN/Si.
2) VaV nových WBG součástek - především GaN HEMT (High-Electron-Mobility Transistor).
3) VaV nových metod charakterizace WBG materiálů a součástek - především struktur GaN/AlGaN/AlN/Si.
Dosažení uvedených cílů projektu je přímo spojeno se zásadním rozvojem spolupráce s účelným propojení všech WBG aktivit v ČR (zejména FZÚ AV ČR, VŠCHT a ČVUT v Praze) pro reálný rozvoj nových výrobních technologií v ČR na světově konkurenceschopné úrovni. Dalším z cílů projektu je zapojení mladých výzkumných pracovníků.

Publikace

Počet publikací: 1


Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info