Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI

• Autoři: MÜNZ Filip; HUMLÍČEK Josef
• Rok publikování: 2014
• Druh: Výsledky s právní ochranou
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• www: http://spisy.upv.cz/UtilityModels/FullDocuments/FDUM0027/uv027013.pdf
• Popis: Technické řešení se týká zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI optickou metodou ve VIS/NIR oblasti s přesností cca 30 nm v rozsahu 1-10 mikrometrů; zahrnuje zdroj záření, optická vlákna, skener, spektrometr, řídící elektroniku a počítač.

Související projekty

• Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace