Informace o publikaci

Zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI

Autoři

MÜNZ Filip HUMLÍČEK Josef

Rok publikování 2014
Druh Výsledky s právní ochranou
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Popis Technické řešení se týká zařízení pro měření tloušťky polovodičových vrstevnatých struktur SOI optickou metodou ve VIS/NIR oblasti s přesností cca 30 nm v rozsahu 1-10 mikrometrů; zahrnuje zdroj záření, optická vlákna, skener, spektrometr, řídící elektroniku a počítač.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info