Three-dimensional Epitaxial Si1-xGex, Ge and SiC Crystals on Deeply Patterned Si Substrates

• Název česky: Troj-dimenzionální Si1-xGex, Ge a SiC krystaly na hluboce vzorkovaných Si substrátech
• Autoři: VON KÄNEL Hans; ISA Fabio; FALUB Claudiu Valentin; BARTHAZY E. J.; MÜLLER Elisabeth; CHRASTINA Daniel; ISELLA Giovanni; KREILIGER Thomas; TABOADA Alfonso; MEDUŇA Mojmír; KAUFMANN R.; NEELS A.; DOMMANN Alex; NIEDERMANN Philippe; MANCARELLA F.; MAUCERI M.; PUGLISI M.; CRIPPA D.; LA VIA F.; ANZALONE R.; PILUSO N.; BERGAMASCHINI Roberto; MARZEGALLI Anna; MIGLIO Leo
• Rok publikování: 2014
• Druh: Článek ve sborníku
• Konference: SIGE, GE, AND RELATED COMPOUNDS 6: MATERIALS, PROCESSING, AND DEVICES
• Fakulta / Pracoviště MU: Středoevropský technologický institut
• www: http://ma.ecsdl.org/content/MA2014-02/35/1822.abstract
• Doi: https://doi.org/10.1149/06406.0631ecst
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: Aspect ratio; Chemical vapor deposition; Crystals; Dislocations; Germanium; Silicon; heteroepitaxy
• Popis: Nedávno jsme ukázali například u Ge/Si(001), že krystalové defekty, ohýbání desek může být odstraněno kombinací hlubokého vzorkování substrátu zakončené hustými poli vysoce dokonalých troj-dimensionálních epitaxních krystalů. Zde diskutujeme rozšíření této metody na kombinaci vrstev-substrátu s mřížkovým nepřizpůsobením až na 20% pro 3C-SiC/Si(001).

Související projekty

• CEITEC - středoevropský technologický institut
• NANOE - Posílení excelence vědeckých týmů v oblasti nano- a mikrotechnologií