In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction

• Autoři: ZHUANG Y.; PIETSCH U.; STANGL J.; HOLÝ Václav; DAROWSKI N.; GRENZER J.; ZERLAUTH S.; SCHÄFFLER F.; BAUER G.
• Rok publikování: 2000
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: Physica B
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction
• Popis: In-plane strain and shape analysis of Si/SiGe nanostructures by grazing incidence diffraction

Související projekty

• Fyzikální vlastnosti nových materiálů a vrstevnatých struktur