Informace o publikaci
X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
| Název česky | Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2004 |
| Druh | Článek ve sborníku |
| Konference | Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004 |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | X-ray; Diffuse Scattering; Defect; Silicon; Nitrogen doping |
| Popis | Použitím rentgenové difrakce s vysokým rozlišením (HRXRD) jsme studovali dusíkem dopované křemíkové desky (001). Mapy rozložení intenzity v reciprokém prostoru od shluků defektů, vrstevných chyb a dislokačních smyček byly modelovány použitím Krivoglazovy teorie a kontinuálního modelu deformačního pole defektu. Dobré shody teorie s experimentálními daty bylo dosaženo pro dislokační smyčky. Symetrie naměřených map reciprokého prostoru určují typ dislokačních smyček a z radiálního řezu mapou můžeme určit jejich poloměr a koncentraci. Tyto výsledky jsme porovnaly s výsledky infračervené absorpční spektroskopie. |
| Související projekty: |