Informace o publikaci
Infrared Response of Heavily Doped p-type Si and SiGe Alloys from Ellipsometric Measurements
| Název česky | Infračervená odezva silně legovaného p-typu Si a slitin SiGe z elipsometrických měření |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2005 |
| Druh | Článek ve sborníku |
| Konference | CP772, Physics of Semiconductors: 27th International Conference on the Physics of Semiconductors |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | silico-germanium alloys; infrared ellipsometry |
| Popis | Elipsometrická spektra Si a slitin SiGe silně legovaných bórem. Ve střední infračervené oblasti lze v optické odezvě oddělit příspěvky plasmatu volných děr a přímých mezipásových přechodů. První z obou příspěvků dává správnou extrapolaci stejnosměrného odporu, druhý je v dobré shodě s osmipásovou k.p aproximací. |
| Související projekty: |