Informace o publikaci
Ge/Si islands in a three-dimensional island crystal studied by x-ray diffraction
| Název česky | Studium třídimnzionálního krystalu Ge/Si ostrůvků RTG difrakcí |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2005 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Journal of Applied Physics |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | http://link.aip.org/link/?JAP/98/073517/1 |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | ASSEMBLED GE ISLANDS; QUANTUM DOTS; STRAIN; NANOSTRUCTURES; STACKING; X-RAY DIFFRACTION |
| Popis | V článku je prezentována analýza experimentálních dat z měření na tří dimenzionálním krystalu Ge/Si(001) ostrůvků ve vysokoúhlé RTG difrakci. Prokázali jsme, že kombinace analytického řešení rovnic rovnováhy lineární elasticity a teorie kinematického rozptylu mohou být úspěšně použity k simulaci dat z RTG difrakce. Byly získány strukturní vlastnosti Ge ostrůvků, deformace krystalografické mřížky v ostrůvcích a okolní Si matici. Ukázalo se, že po zarostení do Si matice klesla koncentrace Ge v ostrůvcích na 40%, jejich tvar se však výrazně nezměnil. |
| Související projekty: |