Intersubband absorption of strain compensated, Si1-xGex valenceband quantum wells with 0.7<=x<=0.85

• Název česky: Mezipásová absorbce napěťově kompenzovaných kvantových jam Si1-xGex s 0.7<=x<=0.85 ve valennčím pásu
• Autoři: FROMHERZ Thomas; MEDUŇA Mojmír; BAUER Günther; BORAK Alex; FALUB Claudiu; TSUJINO Soichiro; SIGG Hans; GRÜTZMACHER Detlev
• Rok publikování: 2005
• Druh: Článek v odborném periodiku
• Časopis / Zdroj: J. Appl. Phys.
• Fakulta / Pracoviště MU: Přírodovědecká fakulta
• Obor: Fyzika pevných látek a magnetismus
• Klíčová slova: X-RAY REFLECTION; CASCADE STRUCTURES; POROUS SILICON; ELECTROLUMINESCENCE; EMITTERS; NARROW
• Popis: Strukturní studium pomocí tramsmisní elektronové mikroskopie a rtg reflexe a difrakce s vysokým rozlišením ukázaly, že při teplotě růstu v okolí T=300C jsou vzorky ve vynikajícím souhlasu s navrhovanými parametry. Byla provedena srovnání měření mezipásové absorbce v závislosti na polarizaci se simulovanými spektry mezipásové absorbce.

Související projekty

• Studium morfologie polovodičových multivrstev pomocí rtg rozptylu
• Fyzikální a chemické vlastnosti pokročilých materiálů a struktur