Informace o publikaci
In situ investigations of Si and Ge interdiffusion in Ge-rich Si/SiGe multilayers using x-ray scattering
| Název česky | In-situ studie Si a Ge interdifuse v SiGe multivrstvách bohatých na Ge za použití rtg rozptylu |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2007 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Semicond. Sci. Technol. |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | interdiffusion; x-ray diffraction; reflectivity |
| Popis | Z časového vývoje dat rtg reflexe a difrakce při vysových teplotách jsme získali vývoj Si-SiGe rozhraní indukované difuzí. Výsledky našeho experimentu ukazují, že aktivační energie resp. difúzní prefaktor závisí na koncentraci Ge lineárně resp. exponenciálně. |
| Související projekty: |