Informace o publikaci
Profiling N-Type Dopants in Silicon
| Autoři | |
|---|---|
| Rok publikování | 2010 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | Materials Transactions |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| www | http://www.jim.or.jp/journal/e/51/02/237.html |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | silicon; dopant contrast; photoemission electron microscopy; scanning electron microscopy |
| Popis | Dotované struktury n-typu (koncentrace dopantu mezi 1.5*10^16 cm-3 a 1.5*10^19 cm^-3) na slabě dotovaném křemíku p-typu (dotace 1.9*10^15 cm^-3) byly zkoumány fotoemisním elektronovým mikroskopem s energiovým filtrem typu horní propust a UHV rastrovacím elektronovým mikroskopem. Byl získán vysoký kontrast mezi jednotlivými oblastmi, který vzrůstá s množstvím dopantu v n-oblastech. |
| Související projekty: |