Informace o publikaci

Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing

Název česky Analýza kinetiky nukleace vakancí a intersticiálů v Si deskách během rychlého teplotního žíhání
Autoři

KUBĚNA Josef KUBĚNA Alan CAHA Ondřej MEDUŇA Mojmír

Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj J.Phys.: Condens. Matter
Fakulta / Pracoviště MU

Přírodovědecká fakulta

Citace
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova Silicon; vacancies; Interstitials; nucleation
Popis V této publikaci je studována kinetika procesů vakancí a self-intersticiálů v Si deskaách. Detailní vhled do procesu nukleace, out difuze a rekombinace vakancí a intersticiálů během procesu RTA vede k novému modelu interakce mezi vakancemi a kyslíkem.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info