Informace o publikaci
Analysis of vacancy and interstitial nucleation kinetics in Si wafers during rapid thermal annealing
| Název česky | Analýza kinetiky nukleace vakancí a intersticiálů v Si deskách během rychlého teplotního žíhání |
|---|---|
| Autoři | |
| Rok publikování | 2009 |
| Druh | Článek v odborném periodiku |
| Časopis / Zdroj | J.Phys.: Condens. Matter |
| Fakulta / Pracoviště MU | |
| Citace | |
| Obor | Fyzika pevných látek a magnetismus |
| Klíčová slova | Silicon; vacancies; Interstitials; nucleation |
| Popis | V této publikaci je studována kinetika procesů vakancí a self-intersticiálů v Si deskaách. Detailní vhled do procesu nukleace, out difuze a rekombinace vakancí a intersticiálů během procesu RTA vede k novému modelu interakce mezi vakancemi a kyslíkem. |
| Související projekty: |