Informace o publikaci

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

Název česky Vznik laterální modulace chemického složení v epitaxních vrstvách InGaP rostlých na (001) GaAs
Autoři

SCHMIDBAUER Martin UGUR Asli WOLLSTEIN C. HATAMI Fariba KATMIS Ferhat CAHA Ondřej MASSELINK W. T.

Rok publikování 2012
Druh Článek v odborném periodiku
Časopis / Zdroj Journal of Applied Physics
Fakulta / Pracoviště MU

Středoevropský technologický institut

Citace
www http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v111/i2/p024306_s1?isAuthorized=no
Doi http://dx.doi.org/10.1063/1.3677995
Obor Fyzika pevných látek a magnetismus
Klíčová slova LAYERS; ENHANCEMENT; GAINP; DOTS
Popis Nukleace jednorozměrné periodické struktury v GaInP vrstvách byla studována pomocí grazing=incidence rtg difrakce.
Související projekty:

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info