Informace o projektu

Struktura, elektronová struktura a optická odezva pokročilých materiálů

Kód projektu
MUNI/A/1047/2009
Období řešení
1/2010 - 12/2012
Investor/Program
Masarykova univerzita
Programový rámec / typ projektu
Grantová agentura MU - Kategorie A - Specifický výzkum - Studentské výzkumné projekty
Fakulta/Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta

Nejvýznamnější součástí vědecké činnosti pracovníků ÚFKL PřF, studentů oboru Fyzika kondenzovaných látek doktorského studijního programu Fyzika a studentů oboru Fyzika kondenzovaných látek magisterského studijního programu Fyzika je výzkum struktury (uspořádání atomů), elektronové struktury (chování souboru elektronů) a optické odezvy (reakce na elektromagnetické pole) vybraných pokročilých materiálů. Je zaměřen na určení a obvykle též objasnění vlastností těchto materiálů zajímavých v kontextu základního výzkumu a v některých případech též z hlediska potenciálních aplikací v nedaleké budoucnosti a na vývoj příslušných měřicích a výpočetních metod. Cílem projektu je uskutečňovat tento výzkum se zapojením studentů i nadále, zejména v následujících oblastech: (a) polovodičové nanostruktury, zejména kvantové tečky vzniklé samouspořádávacími procesy; (b) technologicky významné objemové polovodiče a příměsi v nich; (c) oxidy a pniktidy přechodových kovů, zejména vysokoteplotní supravodiče. (d) Povrchové plasmony.

Publikace

2013

Lattice constants and optical response of pseudomorph Si-rich SiGe:B

CAHA Ondřej — KOSTELNÍK P. — ŠIK Jan — KIM Y.D. — HUMLÍČEK Josef

2012

Excitation intensity dependence of photoluminescence spectra of SiGe quantum dots grown on prepatterned Si substrates: Evidence for biexcitonic transition

KLENOVSKÝ Petr — BREHM Moritz — KŘÁPEK Vlastimil — LAUSECKER Elisabeth — MUNZAR Dominik — HACKL Florian — STEINER Hubert — FROMHERZ Thomas — BAUER Günther — HUMLÍČEK Josef

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

SCHMIDBAUER Martin — UGUR Asli — WOLLSTEIN C. — HATAMI Fariba — KATMIS Ferhat — CAHA Ondřej — MASSELINK W. T.

Quantum mechanical picture of the coupling between interlayer electronic excitations and infrared active phonons in bilayer cuprate superconductors

VAŠÁTKO Jiří — MUNZAR Dominik

2011

Origin of the magnetic field induced changes of the transverse plasma mode in the c-axis infrared response of underdoped YBa2Cu3O7-delta

MAREK Jiří — MUNZAR Dominik

Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques

MEDUŇA MojmírCAHA OndřejRŮŽIČKA JiříBERNATOVÁ Silvie — SVOBODA Milan — BURŠÍK Jiří

Strain-induced anticrossing of bright exciton levels in single self-assembled GaAs/AlxGa1-xAs and InxGa1-xAs/GaAs quantum dots

PLUMHOF Johannes David — KŘÁPEK Vlastimil — DING Fei — JOENS K. D. — HAFENBRAK R. — KLENOVSKÝ Petr — HERKLOTZ A. — DORR K. — MICHLER P. — RASTELLI Armando — SCHMIDT Oliver G.

Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

CAHA OndřejBERNATOVÁ SilvieMEDUŇA Mojmír — SVOBODA Milan — BURŠÍK Jiří

X-RAY LAUE DIFFRACTION STUDY OF OXYGEN PRECIPITATES IN CZOCHRALSKI SILICON

RŮŽIČKA JiříMEDUŇA Mojmír

2010

Electronic structure of InAs quantum dots with GaAsSb strain reducing layer: Localization of holes and its effect on the optical properties

KLENOVSKÝ Petr — KŘÁPEK Vlastimil — MUNZAR DominikHUMLÍČEK Josef

Předchozí 1 2 Další

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info