Informace o projektu

Řízení elastického napětí v magnetických polovodičích

Kód projektu
GP202/09/P410
Období řešení
1/2009 - 12/2011
Investor/Program
Grantová agentura ČR
Programový rámec / typ projektu
Postdoktorské projekty
Fakulta/Pracoviště MU
Přírodovědecká fakulta
Klíčová slova
polovodiče, feromagnetismus, elastické napětí

Publikace

2012

Nucleation of lateral compositional modulation in InGaP epitaxial films grown on (001) GaAs

SCHMIDBAUER Martin — UGUR Asli — WOLLSTEIN C. — HATAMI Fariba — KATMIS Ferhat — CAHA Ondřej — MASSELINK W. T.

Precipitation in silicon wafers after high temperature preanneal studied by X-ray diffraction methods

MEDUŇA MojmírRŮŽIČKA JiříCAHA Ondřej — BURŠÍK Jiří — SVOBODA Milan

2011

Oxygen precipitation studied by x-ray diffraction techniques

MEDUŇA MojmírCAHA OndřejRŮŽIČKA JiříBERNATOVÁ Silvie — SVOBODA Milan — BURŠÍK Jiří

Study of oxide precipitates in silicon using X-ray diffraction techniques

CAHA OndřejBERNATOVÁ SilvieMEDUŇA Mojmír — SVOBODA Milan — BURŠÍK Jiří

Surface morphology and magnetic anisotropy in (Ga,Mn)As

PIANO S. — MARTI X. — RUSHFORTH A. W. — EDMONDS K. W. — CAMPION R. P. — WANG M. — CAHA Ondřej — SHUELLI T. U. — HOLÝ Václav — GALLAGHER B. L.

2010

Density of Mn interstitials in (Ga,Mn)As epitaxial layers determined by anomalous x-ray diffraction

HOLÝ Václav — MARTÍ Xavier — HORÁK Lukáš — CAHA Ondřej — NOVÁK Vít — CUKR Miroslav — SCHÜLLI Tobias Urs

X-ray scattering study of oxide precipitates in Cz-Si

CAHA OndřejMEDUŇA MojmírBERNATOVÁ SilvieRŮŽIČKA JiříMIKULÍK PetrBURŠÍK Jiří — SVOBODA Milan — BERNSTORFF S.

2009

Interdiffusion in Ge rich SiGe/Ge multilayers studied by in situ diffraction

MEDUŇA MojmírCAHA Ondřej — KEPLINGER Mario — STANGL Julian — BAUER Günther — MUSSLER Gregor — GRÜTZMACHER Detlev

X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

CAHA OndřejMEDUŇA Mojmír

X-ray diffraction on precipitates in Czochralski-grown silicon

CAHA OndřejMEDUŇA Mojmír

Používáte starou verzi internetového prohlížeče. Doporučujeme aktualizovat Váš prohlížeč na nejnovější verzi.

Další info